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  • 柒號芯城電子商務（深圳）有限公司認證

    13年

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    IRF6674TR

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市祥億豐創(chuàng)展電子有限公司

    5年

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  • 深圳市聯(lián)芯邦科技有限公司

    6年

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  • InfineonTechnologies　
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  • 深圳市芯福林電子科技有限公司

    8年

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  • InfineonTechnologies　
  • DIRECTFET?MZ　
  • 22+　
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  • 原裝正品！自家現(xiàn)貨庫存！　　

  • 深圳市芯世界半導體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • International Rectifier　
  • DirectFET?　
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  • 制造商：IRF[International Rectifier]
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  • PDF文件頁數(shù)：共9頁
  • 描述：Compatible with existing Surface Mount Techniques
IRF6674TR1PBF技術(shù)規(guī)格
  • 產(chǎn)品培訓模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
  • 設(shè)計資源：IRF6674TR1PBF Saber Model IRF6674TR1PBF Spice Model
  • 標準包裝：1,000
  • 類別：分立半導體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：HEXFET®
  • 包裝：帶卷（TR）
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓（Vdss）：60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：13.4A（Ta），67A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 13.4A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 100µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：36nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：3.6W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
  • 供應商器件封裝：DIRECTFET? MZ
  • 其它名稱：IRF6674TR1PBFTR
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