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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRF6691TRPBF PDF資料
- 資料下載
- 制造商:IRF[International Rectifier]
- PDF文件大?。?42.47 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共10頁
- 描述:RoHs Compliant
IRF6691TRPBF技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
- 設(shè)計資源:IRF6691 Saber Model IRF6691 Spice Model
- 標準包裝:4,800
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:HEXFET®
- 包裝:帶卷(TR)
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓(Vdss):20V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A(Ta),180A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 15A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):71nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6580pF @ 10V
- 功率 - 最大值:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MT
- 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? MT
- 其它名稱:IRF6691TRPBFTR
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