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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRF733 PDF資料
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- 制造商:NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]
- PDF文件大?。?48.7 Kbytes
- PDF文件頁數:共3頁
- 描述:N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V
IRF7331技術規(guī)格
- 標準包裝:95
- 類別:分立半導體產品
- 家庭:FET - 陣列
- 系列:HEXFET®
- 包裝:管件
- FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓(Vdss):20V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 7A,4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1340pF @ 16V
- 功率 - 最大值:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:8-SO
- 其它名稱:*IRF7331
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