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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRF7404QTRPBF PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?34.76 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共10頁
- 描述:MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
IRF7404QTRPBF技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓模塊:Discrete Power MOSFETs 40V and Below
- 標準包裝:1
- 類別:分立半導體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:HEXFET®
- 包裝:剪切帶(CT)
- FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓(Vdss):20V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6.7A(Ta)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 3.2A,4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1500pF @ 15V
- 功率 - 最大值:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:8-SO
- 其它名稱:IRF7404QTRPBFCT
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