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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
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IRF9328TRPBF PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?01.46 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：MOSFET MOSFT P-Ch -30V -12A 11.9mOhm
IRF9328TRPBF技術(shù)規(guī)格
- 封裝/外殼：SO8
- FET 類型：P 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：12A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：11.9 毫歐 @ 12A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：52nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1680pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 系列：HEXFET?
- FET類型：P 溝道
- 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：12A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25μA
- 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：52nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1680pF @ 25V
- 不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：11.9 毫歐 @ 12A，10V
- 封裝形式Package：SOIC
- 極性Polarity：P-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS：30V
- 連續(xù)漏極電流ID：12A
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：52nC
- 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1680pF
- 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SO
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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