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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IRF9383MTR1PBF PDF資料
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- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大?。?65.53 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共9頁
- 描述：Isolation Switch for Input Power or Battery Application
IRF9383MTR1PBF技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
- 設(shè)計(jì)資源：IRF9383MTR1PBF Saber Model IRF9383MTR1PBF Spice Model
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
- 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：FET - 單
- 系列：HEXFET®
- 包裝：帶卷（TR）
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：22A（Ta），160A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2.9 毫歐 @ 22A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 150µA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：130nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：7305pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET? MX
- 其它名稱：IRF9383MTR1PBFTR
購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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