篩選結(jié)果：供應(yīng)商共有家隨時(shí)為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號
- 品牌
- 封裝
- 批號
- 庫存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
-
柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
IRF9392TRPBF PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Infineon / IR
- PDF文件大?。?83.12 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：MOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 17.5mOhm 25Vgs
IRF9392TRPBF技術(shù)規(guī)格
- 封裝/外殼：SO8
- FET 類型：P 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9.8A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，20V
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12.1 毫歐 @ 7.8A，20V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：14nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1270pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：14nC
- 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1270pF
- 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SO
- 通道類型：P
- 最大連續(xù)漏極電流：9.8 A
- 最大漏源電壓：30 V
- 最大漏源電阻值：17.5 m0hms
- 最大柵閾值電壓：2.4V
- 最小柵閾值電壓：1.3V
- 最大柵源電壓：-25 V、+25 V
- 封裝類型：SOIC
- 引腳數(shù)目：8
- 通道模式：增強(qiáng)
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：2.5 W
- 典型接通延遲時(shí)間：15 ns
- 典型關(guān)斷延遲時(shí)間：73 ns
- 典型輸入電容值@Vds：1270 pF @ -25 V
- 典型柵極電荷@Vgs：27 nC @ 15 V
- 系列：HEXFET
- 長度：5mm
- 最高工作溫度：+150 °C
- 寬度：4mm
- 最低工作溫度：-55 °C
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 正向跨導(dǎo)：36S
- 正向二極管電壓：1.2V
- 尺寸：5 x 4 x 1.5mm
- 高度：1.5mm
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
