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  • 制造商:Vishay Siliconix
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  • PDF文件頁數(shù):共8頁
  • 描述:MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
IRF9510PBF-BE3技術(shù)規(guī)格
  • Series-
  • PackageTube
  • FET TypeP-Channel
  • TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2.4A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200 pF @ 25 V
  • FET Feature-
  • Power Dissipation (Max)43W (Tc)
  • Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting TypeThrough Hole
  • Supplier Device PackageTO-220AB
  • Package / CaseTO-220-3
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