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    0755-8366305618922805453,18929374037,189228034010755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516

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    13267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

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    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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    0755-8891453013723412442張先生0755-88914531新亞洲電子商城01010809

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  • 深圳市偉原電子有限公司

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    0755-8891715013556844709林先生深圳市福田區(qū)高科德電子市場(chǎng)01010753

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  • 深圳市科特鑫電子有限公司

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    0755-8328392913603018651黃秀麗佳和華強(qiáng)大廈B座150601010651

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IRF9610PBF PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:IRF[International Rectifier]
  • PDF文件大?。?332.45 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù):共8頁(yè)
  • 描述:HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-200V , RDS(on)=3.0?? , ID=-1.8A )
IRF9610PBF技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Vishay
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-220-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:P-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:1.8 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3 Ohms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
  • Qg-柵極電荷:11 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:20 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Tube
  • 高度:15.49 mm
  • 長(zhǎng)度:10.41 mm
  • 系列:IRF
  • 晶體管類型:1 P-Channel
  • 寬度:4.7 mm
  • 商標(biāo):Vishay / Siliconix
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:0.9 S
  • 下降時(shí)間:8 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:15 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:50
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:10 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:8 ns
  • 單位重量:6 g
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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