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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRF9610STRRPBF PDF資料
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- 制造商：Vishay Siliconix
- PDF文件大?。?94.30 Kbytes
- PDF文件頁數：共9頁
- 描述：表面貼裝型 P 通道 200 V 1.8A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） D2PAK（TO-263）
IRF9610STRRPBF技術規(guī)格
- 制造商Vishay Siliconix
- 系列-
- 包裝卷帶（TR）
- FET 類型P 通道
- 技術MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）200 V
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)1.8A（Tc）
- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
- 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）3 歐姆 @ 900mA，10V
- 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）11 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）±20V
- 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）170 pF @ 25 V
- FET 功能-
- 功率耗散（最大值）3W（Ta），20W（Tc）
- 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應商器件封裝D2PAK（TO-263）
- 封裝/外殼TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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