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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRFH5210TR2PBF PDF資料
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- 制造商:IRF[International Rectifier]
- PDF文件大小:239.08 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共8頁
- 描述:HEXFET Power MOSFET
IRFH5210TR2PBF技術(shù)規(guī)格
- 設(shè)計資源:IRFH5210TR2PBF Saber Model IRFH5210TR2PBF Spice Model
- 特色產(chǎn)品:Mid-Voltage Power MOSFETs
- 標準包裝:1
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:HEXFET®
- 包裝:剪切帶(CT)
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓(Vdss):100V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta),55A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.9 毫歐 @ 33A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):59nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2570pF @ 25V
- 功率 - 最大值:3.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-PowerVQFN
- 供應(yīng)商器件封裝:PQFN(5x6)
- 其它名稱:IRFH5210TR2PBFCT
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