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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRFH5210TRPBF PDF資料
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- 制造商:IRF[International Rectifier]
- PDF文件大小:239.08 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共8頁
- 描述:HEXFET Power MOSFET
IRFH5210TRPBF技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:PQFN-8
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
- Id-連續(xù)漏極電流:10 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:14.9 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:40 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:3.6 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:0.83 mm
- 長度:6 mm
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:5 mm
- 商標:Infineon Technologies
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:66 S
- 下降時間:6.5 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時間:9.7 ns
- 工廠包裝數(shù)量:4000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時間:21 ns
- 典型接通延遲時間:7.2 ns
- 零件號別名:SP001556226
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