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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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IRFH7182TRPBF PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大?。?35.92 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
IRFH7182TRPBF技術(shù)規(guī)格
- 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
- 系列FASTIRFET?，HEXFET?
- 零件狀態(tài)停產(chǎn)
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）100V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）23A（Ta），157A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
- 不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）3.9 毫歐 @ 50A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）3.6V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）74nC @ 10V
- Vgs（最大值）±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）3120pF @ 50V
- FET 功能-
- 功率耗散（最大值）4W（Ta）, 195W（Tc）
- 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝8-PQFN（5x6）
- 封裝/外殼8-PowerTDFN
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