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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IRFP23N50L_17 PDF資料
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- 制造商：VISHAY[Vishay Siliconix]
- PDF文件大?。?00.94 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共9頁(yè)
- 描述：Power MOSFET
IRFP23N50LPBF技術(shù)規(guī)格
- FET類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：23A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：150nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3600pF @ 25V
- Vgs（最大值）：±30V
- 功率耗散（最大值）：370W（Tc）
- 不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：235 毫歐 @ 14A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝形式Package：TO-247-3
- 極性Polarity：N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS：500V
- 連續(xù)漏極電流ID：23A
- 漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)：190mOhms
- 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
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