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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRFP23N50LPBF PDF資料
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- 制造商:IRF[International Rectifier]
- PDF文件大?。?02.13 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)typ. = 0.190?? , Trr typ. = 170ns , ID = 23A )
IRFP23N50LPBF技術(shù)規(guī)格
- FET類型:N 溝道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):23A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id時的Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
- 不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):150nC @ 10V
- 不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):3600pF @ 25V
- Vgs(最大值):±30V
- 功率耗散(最大值):370W(Tc)
- 不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):235 毫歐 @ 14A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝形式Package:TO-247-3
- 極性Polarity:N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS:500V
- 連續(xù)漏極電流ID:23A
- 漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON):190mOhms
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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