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IRFR5410TRR PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]
  • PDF文件大?。?880.22 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù):共10頁(yè)
  • 描述:AUTOMOTIVE GRADE
IRFR5410TRR技術(shù)規(guī)格
  • 設(shè)計(jì)資源:IRFR5410TRPBF Saber Model IRFR5410TRPBF Spice Model
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
  • 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭:FET - 單
  • 系列:HEXFET®
  • 包裝:帶卷(TR)
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):205 毫歐 @ 7.8A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):58nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):760pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:66W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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