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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
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IRFR9220TRLPBF PDF資料
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- 制造商:Vishay / Siliconix
- PDF文件大?。?60.28 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共11頁
- 描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp
IRFR9220TRLPBF技術(shù)規(guī)格
- FET類型:P 溝道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):3.6A(Tc)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):340pF @ 25V
- Vgs(最大值):±20V
- 功率耗散(最大值):42W(Tc)
- 不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):1.5 歐姆 @ 2.2A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 封裝形式Package:TO-252-3
- 極性Polarity:P-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS:200V
- 連續(xù)漏極電流ID:3.6A
- 漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON):1.5Ohms
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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