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    0755-8366305618922805453,18929374037,189228034010755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516

    IRFZ44NSTRLPBF

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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • 環(huán)佑電子科技

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  • 北京星泰恒利電子科技有限公司

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    010-6264056613601075042馬先生北京海淀區(qū)中關(guān)村大街32號新中發(fā)b162301010676

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  • 深圳市偉原電子有限公司

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    0755-8891715013556844709林先生深圳市福田區(qū)高科德電子市場01010753

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IRFZ44NSTRLPBF PDF資料
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  • 制造商:IRF[International Rectifier]
  • PDF文件大?。?40.05 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共11頁
  • 描述:Advanced Process Technology
IRFZ44NSTRLPBF技術(shù)規(guī)格
  • 封裝/外殼:D2PAK
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):49A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17.5 毫歐 @ 25A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):63nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1470pF @ 25V
  • 功率耗散(最大值):3.8W(Ta),94W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 系列:HEXFET?
  • FET類型:N 溝道
  • 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):49A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):63nC @ 10V
  • 不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):1470pF @ 25V
  • 不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):17.5 毫歐 @ 25A,10V
  • 封裝形式Package:D2PAK
  • 極性Polarity:N-CH
  • 漏源極擊穿電壓VDSS:55V
  • 連續(xù)漏極電流ID:49A
  • 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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