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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

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  • 深圳市春東電子有限公司

    8年

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  • 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

    8年

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  • 深圳市斌騰達(dá)科技有限公司

    9年

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

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IRFZ48STRR PDF資料
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  • 制造商：Vishay Siliconix
  • PDF文件大小：431.70 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共11頁(yè)
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRFZ48STRR技術(shù)規(guī)格
  • FET 類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：50A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：110nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2400pF @ 25V
  • 功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），190W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 43A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
  • 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
  • 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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