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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認證

    13年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

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  • 深圳市安富世紀電子有限公司

    8年

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  • 深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

    15年

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    10年

    0755-84875764”13725596657“17503034873曾先生深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟110311012598

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IRG4BC30W-SPBF PDF資料
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  • 制造商：IRF[International Rectifier]
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  • 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC30W-SPBF技術(shù)規(guī)格
  • 封裝/外殼：D2PAK
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：23A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)：92A
  • 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）：2.7V @ 15V，12A
  • 功率 - 最大值：100W
  • 開關(guān)能量：130μJ（開），130μJ（關(guān)）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：51nC
  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：25ns/99ns
  • 測試條件：480V，12A，23 歐姆，15V
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
  • 最大連續(xù)集電極電流：23 A
  • 最大集電極-發(fā)射極電壓：600 V
  • 最大柵極發(fā)射極電壓：±20V
  • 最大功率耗散：100 W
  • 封裝類型：D2PAK (TO-263)
  • 通道類型：N
  • 引腳數(shù)目：3
  • 開關(guān)速度：30 → 150kHz
  • 晶體管配置：單
  • 長度：10.67mm
  • 寬度：9.65mm
  • 高度：4.83mm
  • 尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm
  • 最高工作溫度：+150 °C
  • 最低工作溫度：-55 °C
  • 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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