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IRG4PC50WPBF PDF資料
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  • 制造商：IRF[International Rectifier]
  • PDF文件大?。?51.42 Kbytes
  • PDF文件頁數：共9頁
  • 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50WPBF技術規(guī)格
  • 產品培訓模塊：IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
  • 設計資源：IRG4PC50WPBF Saber Model IRG4PC50WPBF Spice Model
  • 標準包裝：25
  • 類別：分立半導體產品
  • 家庭：IGBT - 單路
  • 系列：-
  • 包裝：散裝
  • IGBT 類型：-
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：55A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)：220A
  • 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）：2.3V @ 15V，27A
  • 功率 - 最大值：200W
  • 開關能量：80µJ（開），320µJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：180nC
  • 25°C 時 Td（開/關）值：46ns/120ns
  • 測試條件：480V，27A，5 歐姆，15V
  • 反向恢復時間（trr）：-
  • 封裝/外殼：TO-247-3
  • 安裝類型：通孔
  • 供應商器件封裝：TO-247AC
  • 其它名稱：*IRG4PC50WPBF
購買、咨詢產品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復)
詢價型號*數量*批號封裝品牌其它要求
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