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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRG4RC10KD PDF資料
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- 制造商:IRF[International Rectifier]
- PDF文件大?。?90.21 Kbytes
- PDF文件頁數:共10頁
- 描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10KD技術規(guī)格
- 標準包裝:75
- 類別:分立半導體產品
- 家庭:IGBT - 單路
- 系列:-
- 包裝:管件
- IGBT 類型:-
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):9A
- 脈沖電流 - 集電極 (Icm):18A
- 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.62V @ 15V,5A
- 功率 - 最大值:38W
- 開關能量:250µJ(開),140µJ(關)
- 輸入類型:標準
- 柵極電荷:19nC
- 25°C 時 Td(開/關)值:49ns/97ns
- 測試條件:480V,5A,100 歐姆,15V
- 反向恢復時間(trr):28ns
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 安裝類型:表面貼裝
- 供應商器件封裝:D-Pak
- 其它名稱:*IRG4RC10KD
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