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    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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IXFK150N15 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:IXYS[IXYS Corporation]
  • PDF文件大?。?7.98 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù):共2頁(yè)
  • 描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFK150N15技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:IXYS
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-264-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:150 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:12.5 mOhms
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:560 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:HyperFET
  • 封裝:Tube
  • 高度:26.16 mm
  • 長(zhǎng)度:19.96 mm
  • 系列:IXFK150N15
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:5.13 mm
  • 商標(biāo):IXYS
  • 下降時(shí)間:45 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:60 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:25
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:110 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:50 ns
  • 單位重量:10 g
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