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  • 描述:連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):5A(Tc) 漏源電壓(Vdss):-20V 柵源極閾值電壓:900mV @ 250uA 漏源導通電阻:32mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W(Tc) 類型:P溝道
JST3407技術規(guī)格
  • 商品目錄場效應管(MOSFET)
  • 類型P溝道
  • 漏源電壓(Vdss)30V
  • 連續(xù)漏極電流(Id)4.1A
  • 功率(Pd)1.67W
  • 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)48mΩ@10V,4.1A
  • 閾值電壓(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
  • 柵極電荷(Qg@Vgs)6.8nC@10V
  • 輸入電容(Ciss@Vds)580pF@15V
  • 反向傳輸電容(Crss@Vds)74pF@15V
  • 工作溫度+150℃@(Tj)
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