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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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MMBF0202PLT1 PDF資料
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- 制造商：ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大小：88.25 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共8頁(yè)
- 描述：Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
MMBF0202PLT1技術(shù)規(guī)格
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：300mA
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- FET Feature：Logic Level Gate
- FET Type：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- Gate Charge (Qg) @ Vgs：2.7nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) @ Vds：50pF @ 5V
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Power - Max：225mW
- Product Change Notification：View
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.4 Ohm @ 200mA, 10V
- Supplier Device Package：SOT-23-3
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.4V @ 250μA
- 最大門源電壓：±20
- 最大漏源電壓：20
- 最高工作溫度：150
- 通道模式：Enhancement
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOT-23
- 最低工作溫度：-55
- 渠道類型：P
- 封裝：Tape and Reel
- 最大漏源電阻：1400@10V
- 每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
- 供應(yīng)商封裝形式：SOT-23
- 最大功率耗散：225
- 最大連續(xù)漏極電流：0.3
- 引腳數(shù)：3
- 鉛形狀：Gull-wing
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