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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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MRFG35003N6AT1 PDF資料
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- 制造商:FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]
- PDF文件大小:221.41 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共11頁
- 描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003N6AT1技術(shù)規(guī)格
- 制造商:NXP
- 產(chǎn)品種類:射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管
- RoHS:是
- 晶體管類型:pHEMT
- 技術(shù):GaAs
- 增益:10 dB
- Vds-漏源極擊穿電壓:8 V
- Vgs-柵源極擊穿電壓 :- 5 V
- Id-連續(xù)漏極電流:2.9 A
- 最大工作溫度:+ 85 C
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:PLD-1.5
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 配置:Single Dual Source
- 工作頻率:3.55 GHz
- 產(chǎn)品:RF JFET
- 系列:MRFG35003N6AT1
- 類型:GaAs pHEMT
- 商標(biāo):NXP / Freescale
- 濕度敏感性:Yes
- P1dB - 壓縮點:3 W
- 產(chǎn)品類型:RF JFET Transistors
- 工廠包裝數(shù)量:1000
- 子類別:Transistors
- 零件號別名:935309639515
- 單位重量:280 mg
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