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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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PBSS4160DPN PDF資料
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- 制造商:PHILIPS[NXP Semiconductors]
- PDF文件大小:120.13 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共14頁(yè)
- 描述:60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4160DPN技術(shù)規(guī)格
- 安裝類型表面貼裝
- 寬度1.7mm
- 封裝類型TSOP
- 尺寸1 x 3.1 x 1.7mm
- 引腳數(shù)目6
- 晶體管類型NPN,PNP
- 最低工作溫度-65 °C
- 最大功率耗散700 mW
- 最大發(fā)射極-基極電壓5 V
- 最大基極-發(fā)射極飽和電壓1.1 V
- 最大直流集電極電流0.9 (PNP) A, 1 (NPN) A
- 最大集電極-發(fā)射極電壓60 V
- 最大集電極-發(fā)射極飽和電壓0.33 V
- 最大集電極-基極電壓80 V
- 最小直流電流增益100 V
- 最高工作溫度+150 °C
- 最高工作頻率185 (PNP) MHz, 220 (NPN) MHz
- 每片芯片元件數(shù)目2
- 類別雙極小信號(hào)
- 配置雙
- 長(zhǎng)度3.1mm
- 高度1mm
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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