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PDTC114ET PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:PHILIPS[NXP Semiconductors]
  • PDF文件大?。?0.75 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共8頁
  • 描述:NPN resistor-equipped transistor
PDTC114ET技術(shù)規(guī)格
  • 集電極 - 發(fā)射極電壓:50 V
  • 安裝:Surface Mount
  • 包裝類型:TO-236AB
  • 引腳數(shù):3
  • 直流電流增益(最小值):30
  • 工作溫度分類:Military
  • 弧度硬化:No
  • 晶體管極性:NPN
  • 刪除:Compliant
  • 直流電流增益:30
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo::50V
  • Transition Frequency ft::230MHz
  • 功耗::250mW
  • DC Collector Current::100mA
  • DC Current Gain hFE::30
  • Operating Temperature Min::-65°C
  • Operating Temperature Max::150°C
  • Transistor Case Style::SOT-23
  • No. of Pins::3
  • MSL::MSL 1 - Unlimited
  • SVHC::No SVHC (20-Jun-2013)
  • Collector Emitter Voltage Vces::150mV
  • 連續(xù)集電極電流Ic最大::100mA
  • Current Ic Continuous a Max::100mA
  • Current Ic hFE::5mA
  • Hfe Min::30
  • No. of Transistors::1
  • 工作溫度范圍::-65°C to +150°C
  • Power Dissipation Ptot Max::250mW
  • SMD Marking::p/t16
  • 端接類型::SMD
  • 晶體管類型::Bias Resistor (BRT)
  • Voltage Vcbo::50V
  • Weight (kg):0.000033
  • Tariff No.:85412100
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