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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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PDTC143ZS PDF資料
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- 制造商:PHILIPS[NXP Semiconductors]
- PDF文件大小:93.66 Kbytes
- PDF文件頁數:共14頁
- 描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW
PDTC143ZS,126技術規(guī)格
- 標準包裝:2,000
- 類別:分立半導體產品
- 家庭:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 系列:-
- 包裝:帶盒(TB)
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
- 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k
- 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k
- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V
- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):1µA
- 頻率 - 躍遷:-
- 功率 - 最大值:500mW
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商器件封裝:TO-92-3
- 其它名稱:934057574126PDTC143ZS AMOPDTC143ZS AMO-ND
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