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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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PMCXB900UEZ PDF資料
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- 制造商:Nexperia
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- PDF文件頁(yè)數(shù):共20頁(yè)
- 描述:MOSFET 20 V, complementary N/P-channel Trench
PMCXB900UEZ技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Nexperia
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:DFN-1010B-6
- 通道數(shù)量:2 Channel
- 晶體管極性:N-Channel, P-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
- Id-連續(xù)漏極電流:600 mA, 500 mA
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:470 mOhms, 1.02 Ohms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:450 mV, 950 mV
- Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
- Qg-柵極電荷:700 pC, 2.1 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:380 mW
- 配置:Dual
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 晶體管類型:1 N-Channel, 1 P-Channel
- 商標(biāo):Nexperia
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:1 S, 480 mS
- 下降時(shí)間:51 ns, 6 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:9.2 ns, 5 ns
- 工廠包裝數(shù)量:5000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19 ns, 13.5 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:5.6 ns, 2.3 ns
- 單位重量:1.200 mg
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