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PMD2001D PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:PHILIPS[NXP Semiconductors]
  • PDF文件大小:948.33 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共12頁
  • 描述:Low VCEsat (BISS) transistors
PMD2001D技術(shù)規(guī)格
  • 晶體管極性:npn型/ PNP輸出
  • 電壓, Vceo:40V
  • 功耗, Pd:320mW
  • 集電極直流電流:600mA
  • 直流電流增益 hFE:100
  • 工作溫度范圍:-65°C 到 +150°C
  • 封裝類型:SSOT
  • 針腳數(shù):6
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2012)
  • SMD標(biāo)號:9E
  • 功耗:320mW
  • 封裝類型:SSOT-6
  • 總功率, Ptot:320mW
  • 晶體管類型:通用
  • 最大連續(xù)電流, Ic:600mA
  • 模塊配置:推挽式
  • 電壓, Vcbo:40V
  • 電流, Ic hFE:500mA
  • 直流電流增益 hfe, 最小值:50
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:250mV
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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