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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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PMV40UN2R PDF資料
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- 制造商:Nexperia
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- PDF文件頁數:共15頁
- 描述:MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
PMV40UN2R技術規(guī)格
- 制造商:Nexperia
- 產品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術:Si
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:SOT-23-3
- 通道數量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
- Id-連續(xù)漏極電流:4.4 A
- Rds On-漏源導通電阻:44 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV
- Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V
- Qg-柵極電荷:7 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:1 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 晶體管類型:1 N-Channel Trench MOSFET
- 商標:Nexperia
- 下降時間:12 ns
- 產品類型:MOSFET
- 上升時間:23 ns
- 工廠包裝數量:3000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關閉延遲時間:34 ns
- 典型接通延遲時間:9 ns
- 單位重量:8 mg
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