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PSMN057-200P_11 PDF資料
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  • 制造商:NXP[NXP Semiconductors]
  • PDF文件大小:181.23 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共13頁
  • 描述:N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
PSMN059-150Y,115技術規(guī)格
  • 制造商:Nexperia
  • 產品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術:Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:LFPAK56-5
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:43 A
  • Rds On-漏源導通電阻:59 mOhms
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:113 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1.1 mm
  • 長度:5 mm
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:4.1 mm
  • 商標:Nexperia
  • 下降時間:11.1 ns
  • 產品類型:MOSFET
  • 上升時間:42 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:1500
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:54.2 ns
  • 典型接通延遲時間:14.2 ns
  • 單位重量:86.100 mg
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