篩選結(jié)果:供應(yīng)商共有家隨時(shí)為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號(hào)
- 品牌
- 封裝
- 批號(hào)
- 庫(kù)存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
-
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
PSMN3R7-100BSE PDF資料
- 資料下載
- 制造商:ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
- PDF文件大小:244.57 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共2頁(yè)
- 描述:Isc N-Channel MOSFET Transistor
PSMN3R7-100BSEJ技術(shù)規(guī)格
- 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
- 系列-
- 零件狀態(tài)有源
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)100V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))120A(Ta)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
- 不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)3.95 毫歐 @ 25A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)246nC @ 10V
- Vgs(最大值)±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)16370pF @ 50V
- FET 功能-
- 功率耗散(最大值)405W(Ta)
- 工作溫度175°C(TJ)
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝D2PAK
- 封裝/外殼TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
PSMN3R7-100BSE相關(guān)型號(hào)