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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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PSMN4R0-30YLD PDF資料
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- 制造商:NEXPERIA[Nexperia B.V. All rights reserved]
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- PDF文件頁(yè)數(shù):共13頁(yè)
- 描述:N-channel 30 V, 4.0 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
PSMN4R0-30YLD技術(shù)規(guī)格
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
- 類(lèi)別:分立式導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:TrenchMOS??
- 包裝:剪切帶 (CT)
- FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng)
- 漏源極電壓 (Vdss):30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):95A (Ta)
- 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4 毫歐 @ 25A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):19.4nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1272pF @ 15V
- 功率 - 最大值:64W
- 安裝類(lèi)型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
- 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56, Power-SO8
- 其它名稱(chēng):568-10433-1
- ROHS: 含鉛
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