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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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    PSMNOR9-25YLC

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

    11年

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  • 深圳億恒升電子有限公司

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  • 深圳市浩睿澤電子科技有限公司

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  • 深圳市創(chuàng)科捷佳電子有限公司

    6年

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  • 深圳市鑫智騰創(chuàng)科技有限公司

    5年

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PSMNR51-25YLHX PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：Nexperia USA Inc.
  • PDF文件大?。?90.43 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共12頁
  • 描述：MOSFET N-CH 25V LFPAK-4
PSMNR51-25YLHX技術(shù)規(guī)格
  • 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
  • 系列-
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）380A（Ta）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）610 毫歐 @ 25A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 2mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）113nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）6990pF @ 12V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）333W（Ta）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝LFPAK56，Power-SO8
  • 封裝/外殼SOT-1023，4-LFPAK
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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