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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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R6024ENZM12C8 PDF資料
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- 制造商:Rohm Semiconductor
- PDF文件大?。?69.11 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共13頁(yè)
- 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO3
R6024ENZM12C8技術(shù)規(guī)格
- 包裝管件
- 系列-
- 零件狀態(tài)最後搶購(gòu)
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)600V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))24A(Tc)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
- 不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)165 毫歐 @ 11.3A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)70nC @ 10V
- Vgs(最大值)±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)1.65nF @ 25V
- FET 功能-
- 功率耗散(最大值)120W(Tc)
- 工作溫度150°C(TJ)
- 安裝類型通孔
- 供應(yīng)商器件封裝TO-3
- 封裝/外殼TO-3P-3 整包
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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