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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
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RGTH60TS65D PDF資料
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- 制造商:ROHM[Rohm]
- PDF文件大?。?31.67 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共12頁
- 描述:650V 30A Field Stop Trench IGBT
RGTH60TS65DGC11技術(shù)規(guī)格
- 制造商:ROHM Semiconductor
- 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V
- 集電極—射極飽和電壓:1.6 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:30 V
- 在25 C的連續(xù)集電極電流:58 A
- Pd-功率耗散:194 W
- 最小工作溫度:- 40 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- 系列:RGTH60TS65
- 封裝:Tube
- 集電極最大連續(xù)電流 Ic:58 A
- 工作溫度范圍:- 40 C to + 175 C
- 商標(biāo):ROHM Semiconductor
- 集電極連續(xù)電流:30 A
- 柵極—射極漏泄電流:+/- 200 nA
- 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors
- 工廠包裝數(shù)量:450
- 子類別:IGBTs
- 零件號(hào)別名:RGTH60TS65D
- 單位重量:2 g
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