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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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RGW60TK65DGVC11 PDF資料
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- 制造商:ROHM Semiconductor
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- 描述:IGBT 晶體管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGW50TK65DGVC11技術(shù)規(guī)格
- 制造商Rohm Semiconductor
- 系列-
- 包裝管件
- IGBT 類型溝槽型場截止
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值)650 V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值)30 A
- 電流 - 集電極脈沖 (Icm)100 A
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值)1.9V @ 15V,25A
- 功率 - 最大值67 W
- 開關(guān)能量390μJ(開),430μJ(關(guān))
- 輸入類型標準
- 柵極電荷73 nC
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值35ns/102ns
- 測試條件400V,25A,10歐姆,15V
- 反向恢復時間 (trr)92 ns
- 工作溫度-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型通孔
- 封裝/外殼TO-3PFM,SC-93-3
- 供應(yīng)商器件封裝TO-3PFM
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