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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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RQ1C075UNHZG PDF資料
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- 制造商:ROHM[Rohm]
- PDF文件大小:2602.98 Kbytes
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- 描述:Nch 20V 7.5A Small Signal MOSFET
RQ1C075UNTR技術(shù)規(guī)格
- 制造商:ROHM Semiconductor
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TSMT-8
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
- Id-連續(xù)漏極電流:7.5 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:40 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:300 mV
- Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
- Qg-柵極電荷:18 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:1.5 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:0.85 mm
- 長(zhǎng)度:3 mm
- 產(chǎn)品:MOSFET
- 晶體管類型:1 N-channel
- 類型:Power MOSFET
- 寬度:2.4 mm
- 商標(biāo):ROHM Semiconductor
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:7 S
- 下降時(shí)間:85 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:50 ns
- 工廠包裝數(shù)量:3000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:100 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:15 ns
- 零件號(hào)別名:RQ1C075UN
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