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    RQ1E050RPHZG

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  • 上海三崧電子有限公司

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RQ1E050RPHZG PDF資料
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  • 制造商:ROHM[Rohm]
  • PDF文件大?。?582.33 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共15頁
  • 描述:Pch -30V -5A Small Signal MOSFET
RQ1E050RPTR技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:ROHM Semiconductor
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TSMT-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:P-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:5 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:31 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:120 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:1.5 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:Reel
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標(biāo):ROHM Semiconductor
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:-
  • 開發(fā)套件:-
  • 下降時間:50 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:15 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:90 ns
  • 典型接通延遲時間:10 ns
  • 零件號別名:RQ1E050RP
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