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  • PDF文件頁數(shù):共7頁
  • 描述:4V Drive Nch MOSFET
RQ1E075XNTCR技術(shù)規(guī)格
  • Series-
  • PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel?
  • FET TypeN-Channel
  • TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.8 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440 pF @ 10 V
  • FET Feature-
  • Power Dissipation (Max)1.1W (Ta)
  • Operating Temperature150°C (TJ)
  • Mounting TypeSurface Mount
  • Supplier Device PackageTSMT8
  • Package / Case8-SMD, Flat Lead
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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