�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
RQ3E100GNTB
- ROHM Semiconductor��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 5983��
- ԭ�b��Ʒ��
-
RQ3E100GNTB PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�ROHM Semiconductor
- PDF�ļ���С��1.44 Mbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����12�
- ������MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
RQ3E100GNTB���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:ROHM Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:HSMT-8
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:30 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:10 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:11.7 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:2.5 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:7.9 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:2 W
- ����:Single
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- ���w�����:1 N-Channel
- �̘�(bi��o):ROHM Semiconductor
- ����猧(d��o) - ��Сֵ:8 S
- �½��r(sh��)�g:3.1 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r(sh��)�g:4.3 ns
- ���S���b��(sh��)��:3000
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:22.4 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:8.4 ns
- ���̖�e��:RQ3E100GN
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
RQ3E100GNFU7TB���P(gu��n)��̖
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
