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    RQ3E100MNFU7TB1

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RQ3E100MNTB1 PDF資料
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  • 制造商:ROHM Semiconductor
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  • PDF文件頁數:共12頁
  • 描述:MOSFET
RQ3E100MNTB1技術規(guī)格
  • 制造商:ROHM Semiconductor
  • 產品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術:Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:HSMT-8
  • 通道數量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:10 A
  • Rds On-漏源導通電阻:8.8 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:9.9 nC
  • Pd-功率耗散:2 W
  • 配置:Single
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標:ROHM Semiconductor
  • 下降時間:6 ns
  • 產品類型:MOSFET
  • 上升時間:17 ns
  • 工廠包裝數量:3000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:31 ns
  • 典型接通延遲時間:7 ns
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