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    RQ3E120ASFU7TB

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  • 深圳市科思奇電子科技有限公司

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  • 深圳市萊杰信科技有限公司

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  • 深圳市金華微盛電子有限公司

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RQ3E120AT PDF資料
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  • 制造商:ROHM[Rohm]
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  • PDF文件頁數(shù):共13頁
  • 描述:Pch -30V -39A Power MOSFET
RQ3E120ATTB技術規(guī)格
  • 制造商:ROHM Semiconductor
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術:Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:HSMT-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:P-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:39 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:12 A
  • Rds On-漏源導通電阻:61 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:62 nC
  • Pd-功率耗散:2 W
  • 配置:Single
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:0.85 mm
  • 長度:3 mm
  • 晶體管類型:1 P-Channel
  • 寬度:2.4 mm
  • 商標:ROHM Semiconductor
  • 下降時間:95 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:30 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:140 ns
  • 典型接通延遲時間:20 ns
  • 零件號別名:RQ3E120AT
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