篩選結(jié)果:供應(yīng)商共有家隨時(shí)為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號(hào)
- 品牌
- 封裝
- 批號(hào)
- 庫(kù)存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
-
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
RQJ0306FQDQSTL-E PDF資料
- 資料下載
- 制造商:RENESAS[Renesas Technology Corp]
- PDF文件大小:121.16 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共8頁(yè)
- 描述:Silicon P Channel MOS FET Power Switching
RQJ0601DGDQS#H3技術(shù)規(guī)格
- 包裝:4UPAK
- 渠道類型:P
- 通道模式:Enhancement
- 最大漏源電壓:60 V
- 最大連續(xù)漏極電流:2.8 A
- RDS -于:155@10V mOhm
- 最大門源電壓:10 V
- 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間:20 ns
- 典型上升時(shí)間:41 ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:43 ns
- 典型下降時(shí)間:78 ns
- 工作溫度:-55 to 150 °C
- 安裝:Surface Mount
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:Tape & Reel
- 連續(xù)漏極電流:2.8 A
- 柵源電壓(最大值):10 V
- 功率耗散:1.5 W
- 漏源導(dǎo)通電阻:0.155 ohm
- 工作溫度范圍:-55C to 150C
- 包裝類型:UPAK
- 引腳數(shù):3 +Tab
- 極性:P
- 類型:Power MOSFET
- 元件數(shù):1
- 工作溫度分類:Military
- 漏源導(dǎo)通電壓:60 V
- 弧度硬化:No
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
RQJ0306FQDQSTL-E相關(guān)型號(hào)