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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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RQK0609CQDQS PDF資料
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- 制造商:RENESAS[Renesas Technology Corp]
- PDF文件大?。?14.25 Kbytes
- PDF文件頁數:共8頁
- 描述:Silicon N Channel MOS FET Power Switching
RQK0609CQDQS#H1技術規(guī)格
- 包裝:4UPAK
- 通道模式:Enhancement
- 最大漏源電壓:60 V
- 最大連續(xù)漏極電流:4 A
- RDS -于:[email protected] mOhm
- 最大門源電壓:±12 V
- 典型導通延遲時間:14 ns
- 典型上升時間:56 ns
- 典型關閉延遲時間:38 ns
- 典型下降時間:5 ns
- 工作溫度:-55 to 150 °C
- 安裝:Surface Mount
- 標準包裝:Tape & Reel
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