�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w�衢ISS01011808
-
SM-5200R0FE6
- Vishay / Huntington��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 2560��
- ԭ�b��Ʒ��
-


SM5200DS PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�SECOS[SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]
- PDF�������227.29 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����2�(y��)
- ������VOLTAGE 200 V 5Amp. Schottky Barrier Rectifiers
SM-5200R0FE6���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Vishay
- �a(ch��n)Ʒ�N�:���@����� - SMD
- RoHS:��
- ϵ��:SM
- ���:200 Ohms
- �����~��ֵ:4 W
- �ݲ�:1 %
- �ض�ϵ��(sh��):20 PPM / C
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 275 C
- �L(zh��ng)��:20.83 mm
- ����:7.49 mm
- �߶�:0.3 mm
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- ���c(di��n):-
- �����ضȷ���:- 55 C to + 275 C
- ���g(sh��):Wirewound
- �̘�(bi��o):Vishay / Huntington
- ���b�L(f��ng)��:PCB Mount
- ���������:Yes
- �a(ch��n)Ʒ���:Wirewound Resistors
- ���S���b��(sh��)��:180
- ��e:Resistors
- ���̖(h��o)�e��:CP002M200R0FP07
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
SM5200C-H���P(gu��n)��̖(h��o)