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SP8M2 PDF資料
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  • 制造商:ROHM[Rohm]
  • PDF文件大小:74.31 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù):共4頁(yè)
  • 描述:4V Drive Nch Pch MOSFET
SP8M21FRATB技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:ROHM Semiconductor
  • 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:SOP-8
  • 通道數(shù)量:2 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel, P-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:45 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:6 A, 4 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:18 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
  • Qg-柵極電荷:15.4 nC, 20 nC
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:2 W
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 資格:AEC-Q101
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel, 1 P-Channel
  • 商標(biāo):ROHM Semiconductor
  • 下降時(shí)間:27 ns, 22 ns
  • 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:30 ns, 23 ns
  • 工廠(chǎng)包裝數(shù)量:2500
  • 子類(lèi)別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:72 ns, 90 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:19 ns, 23 ns
  • 零件號(hào)別名:SP8M21FRA
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