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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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  • 深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

    9年

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  • 集好芯城

    17年

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市金華微盛電子有限公司

    4年

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  • 萬三科技（深圳）有限公司

    7年

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  • 深圳市新啟創(chuàng)電子科技有限公司

    7年

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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SP8M4FU6TB PDF資料
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  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • PDF文件大?。?05.12 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共6頁(yè)
  • 描述：MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
SP8M4FU6TB技術(shù)規(guī)格
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
  • 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 陣列
  • 系列：-
  • 包裝：帶卷（TR）
  • FET 類型：N 和 P 溝道
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓（Vdss）：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9A，7A
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 9A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：21nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1190pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：2W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
  • 其它名稱：SP8M4FU6TB-NDSP8M4FU6TBTR
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